خواص گاف باند و مدهای نقص بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه نقص پلاسمای مغناطیده
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم
- author فهیمه کرمی قره قشلاقی
- adviser کاظم جمشیدی قلعه محمد قربانعلیلو
- publication year 1393
abstract
در علم فیزیک و فن آوری، مباحثی چون کاربرد مواد فوتونی و بلورهای نوری که امروزه در عرصه علمی و تکنولوژی از اهمیت بسزایی برخوردار است، از به روزترین مسائل می باشد. در این میان، بررسی ویژگی های بلورهای فوتونی یکی از مباحث مهم جامعه ی علمی است. بیشترین اهمیت بلورهای فوتونی به خاطر وجود باندهای ممنوعه و مدهای نقص آنها است که توانایی کنترل نور را آسانتر می کند.
similar resources
تنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن
امروزه نانوساختار‌های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده‌اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه‌های دی‌الکتریک Ta2O5 و SiO2 و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبۀ سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غ...
full textخواص تراگسیلی بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر
در این مقاله، ویژگی‌های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می‌دهد که چنین ساختاری برای یکی از قطبش‌های دایروی کاملاً غیر شفاف است، در صورتی که برای قطبش دیگر به ازای ضخامت‌های خاص و معینی می‌تواند دارای ض...
full textمطالعه خواص گاف نواری بلورهای فوتونی شامل لایه نقص ابررسانا
موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد می شود. ویژگی نوری چنین موادی بسادگی توسط ثابت دی الکتریک ? بیان می شود. تابش الکترومغناطیسی در چنین محیط هایی به شکل...
15 صفحه اولتأثیر اتلاف روی مدهای نقص در بلور فوتونی یک بعدی
در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر ا...
خواص تراگسیلی بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر
در این مقاله، ویژگی های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می دهد که چنین ساختاری برای یکی از قطبش های دایروی کاملاً غیر شفاف است، در صورتی که برای قطبش دیگر به ازای ضخامت های خاص و معینی می تواند دارای ض...
full textخواص مدهای نقص بلور فوتونی نانولایه دی الکتریک-فلز سه تایی در یک بعد
در این پایان نامه خواص مدهای نقص در ساختارهای متناوب با سه لایه دی الکتریک- فلز- دی-الکتریک در حالت متقارن و نامتقارن بررسی شده است. سپس ویژگی های آن با بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز دو لایه در یک بعد مقایسه شده است. همچنین بازتاب را بر حسب طول موج بررسی کرده و وابستگی آن را با تغییر تعداد سلولهای چپ و راست لایه نقص و تغییر زاویه برای امواج te و tm در دو حالت متقارن و نامتقارن هم برای بلور فوتونی ...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید مدنی آذربایجان - دانشکده علوم
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023